三星电子推出了首款3nm GAA制程的可穿戴设备芯片Exynos W1000,性能提高370%,采用全新 CPU 架构和FOPLP+ePoP封装,支持qHD分辨率和2.5D常亮显示引擎,集成了LTE Cat.4调制解调器和全球导航卫星系统。
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AI | Rating: 53 | 2024-07-04 03:36:21 AM |
三星电子通过了英伟达的 HBM3e 质量测试,计划开始大规模生产 HBM 内存芯片。英伟达 CEO 黄仁勋表示已经开始验证三星的 HBM 内存芯片。三星电子股价 7 月 4 日上涨 3.6%,达到 4 月 12 日以来的最高点。
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AI | Rating: 52 | 2024-07-04 01:16:17 AM |
三星否认了关于其HBM3e芯片通过主要客户测试的报道,包括英伟达。
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AI | Rating: 41 | 2024-07-04 01:06:21 AM |
台积电推出了背面供电网络(BSPDN)解决方案,解决晶体管密度增加和信号干扰问题。该技术将供电网络转移到晶体管背面,避免信号干扰和线路后端的布线拥塞。台积电的 Super PowerRail 技术可以提高客户芯片的效能,运算速度提高 8~10%,功耗降低 1。
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AI | Rating: 59 | 2024-07-04 12:56:13 AM |
台积电正在扩大与苹果公司的合作,预估在2025年使用SoIC封装技术。苹果将采取SoIC搭配Hybrid molding技术,计划应用在Mac上。台积电的CoWoS系列产能吃紧,计划2026年产能扩大20倍以上。
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AI | Rating: 50 | 2024-07-04 12:46:17 AM |
三星电子正在开发3.3D先进封装技术,计划于2026年第二季正式量产,以替代昂贵的硅中介层,降低生产成本22%。该技术将使用铜再分配中介层代替硅中介层,降低材料价格到1/10。三星还将借助导入面板级封装技术进行3.3D封装,提高芯片产能。
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AI | Rating: 50 | 2024-07-03 09:26:14 AM |
苹果、高通和联发科计划在今年下半年推出的旗舰SoC产品中,全面采用台积电的N3E制程技术。N3E工艺提供了更高的成本效益和性能,能够实现更高的晶体管密度和更快的开关速度。台积电的N3E工艺在制造过程中采用了多项创新技术,确保了晶体管的稳定性和可靠性。
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AI | Rating: 61 | 2024-07-03 09:06:24 AM |
马斯克将使用 10 万块英伟达 H100 训练 Grok 3,相关信息尚未公布。
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AI | Rating: 53 | 2024-07-03 08:16:14 AM |
三星发布首款3nm芯片Exynos W1000,专为可穿戴设备设计,预计应用于Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。该芯片采用3nm GAA工艺,搭载1个Cortex-A78大核心和4个Cortex-A55小核心,单核性能提升3.4倍,多核性能提升3.7倍。
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ASML的业绩下滑主要原因是全球对光刻机的需求减少,EUV光刻机购买量大幅下跌,仅有11台销售。中国市场仍然是ASML的最大收入来源,占比近五成,但对中国市场出售光刻机受到限制,导致销售收入减少。Intel已购买6台2纳米EUV光刻机,台积电和三星态度各有不同,台积电可能继续使用现有的第一代EUV光刻机。
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AI | Rating: 50 | 2024-07-03 07:16:18 AM |