至讯创新宣布成功量产 512Mb 高可靠性工业级 2D NAND 闪存芯片，容量可同时容纳系统代码和用户数据，实现了业内同等容量下最小的芯片尺寸。该闪存芯片支持多比特片上 ECC 纠错，拥有至高 10 万次的擦写周期，满足严苛工业级测试。

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环球晶圆董事长兼首席执行官徐秀兰表示，AI芯片所需要的HBM存储芯片需要在芯片上做堆叠，层数从12层增加到16层，预计会大大增加晶圆的消耗。HBM芯片的晶圆尺寸增加了35%到45%，制造工艺更为复杂，良品率比起DDR5低了20%至30%。先进封装也需要更多的抛光晶圆，因为封装已经变得立体，结构和工艺也发生了变化。

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唯创知音电子有限公司将于2024年8月28-30日在深圳国际会展中心（宝安新馆）参加IOTE第二十二届2024国际物联网展·深圳站，展出离在线语音识别、在线TTS、流媒体播放下载芯片等产品。公司是国家高新技术企业，专注于语音技术研究、语音产品方案设计及控制等软、硬件设计。

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三星电子正在开发面向 AI 半导体芯片的新型 3.3D 封装技术，目标 2026 年二季度实现量产。该技术整合了三星电子多项先进异构集成技术，降低 22% 生产成本。

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美国芯片巨头AMD和英伟达的董事长苏姿丰和黄仁勋都是华人，拥有顶尖的技术人才背景。苏姿丰的父亲是学霸，她从小就获得了多次竞赛大奖，并考入了布朗士科学高中和麻省理工。苏姿丰曾任IBM和德州仪器职员，后来担任AMD董事长，带领AMD开启了开源和节流两步走的新时代。

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联发科全球营销总经理兼副总裁芬巴尔・莫伊尼汉表示，公司正在与多家越南企业合作开发‘越南制造’芯片，产品将服务于越南国内和国际市场。联发科在越南市场深耕多年，移动处理器市占已达49%，同时也积极参与越南当地5G蜂窝网络部署。

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ASML计划在2030年左右提供Hyper-NA EUV光刻机，预计价格为7.24亿美元。台积电、三星和英特尔因高昂的费用支出而犹豫不决，台积电计划尽可能地让现有EUV光刻机最大限度地发挥性能。High-NA EUV光刻机的价格约为3.8亿美元，是EUV光刻机的两倍多。

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四川科学家借力AI 开发出"耐疲劳铁电材料"，让存储芯片无限次擦写。电子科技大学光电科学与工程学院刘富才教授团队联合复旦大学、中国科学院宁波材料技术与工程研究所在国际知名学术期刊《Science》上发表最新研究成果。铁电材料在经历反复极化切换后，极化只能实现部分翻转，导致铁电材料失效，即铁电疲劳。

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SpaceX的天龙三号火箭试车起火爆炸，相关信息尚未公布。

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